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    FDY4000CZ

     互补，N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V
    PC开关光电二极管晶体管
    0 ONSEMI

    GCJ188R91H124MA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM21BR70J106KA73#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    FQP3P20

     功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-200 V，-2.8 A，2.7 Ω，TO-220
    局域网PC开关脉冲晶体管
    0 ONSEMI

    IPB073N15N5

     英飞凌推出的 OptiMOS™5 150V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。产品突破性地降低了 R DS(on)（与 SuperSO8 中的下一个理想替代品相比高达 25％）和 Q rr，而不影响 FOM gd 和 FOM OSS，从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。此外，超低反向恢复电荷（在 SuperSO8 中，Q rr = 26 nC）提高了换流坚固性。
    通信驱动驱动器
    0 INFINEON

    GCM2165C2A241JA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GCG1555C1H2R6DA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM32NR61E685KA12#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    FDMS0310AS

     N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，22A，4.3mΩ
    暂无信息
    0 ONSEMI

    IRF7815

     150V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装
    暂无信息
    0 INFINEON

    GQM0335G2D6R2BB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    FQAF11N90C

     功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，7 A，1.1 Ω，TO-3PF
    局域网开关脉冲晶体管
    0 ONSEMI

    IQE013N04LM6SC

     英飞凌推出了创新型 源极底置 技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM 5 40 V：IQE013N04LM6SC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片，该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫与 PCB 连接。因此，它具有几点优势，如热能力增强，先进的功率密度，或具有改善板上布局的可能性。
    PC
    0 INFINEON

    GRM1555C1H331FA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM2165C1H561JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

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