克里
®
EZ500 ™第二代LED
数据表
CxxxEZ500-Sxxx00-2
Cree公司的EZBright ™ LED是新一代的固态LED发射器,结合高效的InGaN
材料与Cree的专利光学设计和设备技术,提供了高亮度LED卓越的价值。
光学设计最大化光提取效率和使朗伯辐射图案。此外,这些
LED是裸片附接用导电环氧树脂,焊膏或预成形焊料,以及作为焊剂共晶的方法。
These vertically structured, low forward voltage LED chips are approximately 170 microns in height. Cree’s EZ™ chips
进行测试,以便符合光学和电气规范。这些LED是在广泛的应用中是有用的,
如通用照明,汽车照明和LCD背光。
特点
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的EZBright功率LED芯片的射频性能
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110 mW min. @ 150 mA – 450 & 460 nm
90 mW min. @ 150 mA - 470 nm
40 mW min. @ 150 mA - 527 nm
应用
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通用照明
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汽车
飞机
装饰照明
工作照明
户外照明
朗伯辐射
导电环氧树脂,焊膏或预成型,
或焊剂共晶附加
Low Forward Voltage – 3.4 V Typical at 150 mA
单线债券结构
Maximum DC Forward Current - 300 mA
在整个外膜表面电介质钝化
白光LED
人行横道信号
电视背光
CxxxEZ500 - Sxxx00-2芯片图
顶视图
的EZBright LED芯片
480 x 480 μm
2
背面
金属化
黄金债券垫
130 x 130 μm
2
t = 170 μm
阴极( - )
底部视图
模具截面
.-
CPR3EB版本
数据表:
阳极(+),
3 μm AuSn
如有更改,恕不另行通知。
www.cree.com
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