最大额定值AT＆T
A
= 25°C
注1&3
直流正向电流
Peak Forward Current (1/10 duty cycle @ 1 kHz)
LED结温
反向电压
工作温度范围
LED芯片存储温度范围
模片材储存条件
静电放电阈值（ HBM ）
Note 2
Electrostatic Discharge Classification (MIL-STD-883E)
Note 2
在T典型电气/光学特性
A
= 25°C ，如果能力= 20 mA
产品型号
正向电压（V
f
, V)
分钟。
C450TR2432-Sxx00
C460TR2432-Sxx00
C470TR2432-Sxx00
C527TR2432-Sxx00
机械的特定网络阳离子
描述
P-N结区（ μm）的
芯片面积（ μm）的
片厚度（μm）
金键合焊盘直径阳极（微米）
金债券垫厚度（微米）
金键合焊盘区阴极（ μm）的
底面积（ μm）的
2.7
2.7
2.7
2.9
典型值。
3.1
3.1
3.1
3.2
马克斯。
3.4
3.4
3.4
3.6
注3
CxxxTR2432-Sxx00
30 mA
100 mA
125°C
5 V
-40°C to +100°C
-40°C to +120°C
≤30°C / ≤85% RH
1000 V
Class 2
反向电流
[我（VR = 5V ） ， μA ]
马克斯。
2
2
2
2
全宽半最大
(λ
D
，NM ）
典型值。
20
21
21
35
CxxxTR2432-Sxx00
维
200 x 280
240 x 320
115
90
1.0
90 x 90
140 x 220
公差
±35
±35
±15
-5, +15
±0.5
-5, +15
±35
注意事项：
1.最大的评级是取决于封装形式。上述评级均使用T - 1 3/4封装（与多Hysol OS4000环氧树脂确定
封装和透明环氧树脂模具附加）为特征。评分其他包可能会有所不同。正向电流（ DC
和峰值）不通过模具而通过封装上的LED的结温的影响有限。结温
limit of 125°C is a limit of the T-1 3/4 package; junction temperature should be characterized in a specific package to determine
limitations. Assembly processing temperature must not exceed 325°C (< 5 seconds).
2.产品耐根据HBM的静电放电（ESD ）是通过使用快速雪崩模拟的ESD测量
能量检测（ RAET ） 。该RAET程序设计为近似显示的最大ESD额定值。
3.所有的产品符合上市最低和最高规格的电气和光学特性组装时
and operated at 20 mA within the maximum ratings shown above. Efficiency decreases at higher currents. Typical values given
是预期通过在大量生产平均的值的范围内，并且只用于提供信息。所有
measurements were made using lamps in T-1 3/4 packages (with Hysol OS4000 epoxy encapsulant and clear epoxy die attach).
在使用照度大肠杆菌积分球测量的光学特性
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2
CPR3DQ版本B
CREE [ CREE, INC ]
