最大额定值AT＆T
A
= 25°C
注1&3
直流正向电流
Note 4
Peak Forward Current (1/10 duty cycle @ 1 kHz)
LED结温
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
静电放电阈值（ HBM ）
Note 2
Electrostatic Discharge Classification (MIL-STD-883E)
Note 2
在T典型电气/光学特性
A
= 25°C ，如果= 120毫安
产品型号
正向电压（V
f
, V)
分钟。
C450TR5050M-Sxx000
机械的特定网络阳离子
描述
P-N结区（ μm）的
芯片面积（ μm）的
片厚度（μm）
金键合焊盘直径阳极（微米）
金债券垫厚度（微米）
金键合焊盘Diamater阴极（微米）
2.7
典型值。
3.3
马克斯。
3.5
注3
CxxxTR5050M-Sxx000
200 mA
250 mA
150°C
5 V
-40°C to +100°C
-40°C to +100°C
1000 V
Class 2
反向电流
[我（VR = 5V ） ， μA ]
马克斯。
2
全宽半最大
(λ
D
，NM ）
典型值。
20
CxxxTR5050M-Sxx000
维
426 x 443
500 x 500
175
90
1.0
98
公差
±35
±35
±15
±10
±0.5
±10
±25
±45
±1.0
注意事项：
1.
如果最大（MA ）
底面积（ μm）的
最大Vf的@Max如果（ V）
底部接触的金属厚度（μm）
最大TJ （摄氏度）
最大功率（W）的
底部接触金属（ UM）
200
3.5
150
0.7
288 x 288
320 x 320
3.0
2.
3.
4.
最大额定值是包依赖性。该
（ C / W ）
收视率“
10
使用芯片上的MCPCB （金属芯PCB ）封装灯进行了测定
热阻
以上
20
30
表征。评分其他包可能会有所不同。结温的特点应当是在一个特定的软件包，以确定限制。
Assembly processing temperature must not exceed 325°C (< 5 seconds).
RTH （
J- A）
=
如果环境温度Tamb @
TAMB
TAMB
产品的耐根据HBM静电放电（ESD ）是通过使用快速雪崩能量测试（ RAET ）模拟的ESD测量。
200
25
25
25
该RAET程序设计为近似显示的最大ESD额定值。
200
143
136
129
All products conform to the listed minimum and maximum specifications for electrical and optical characteristics when assembled and operated at 120
0
150
150
150
上面显示的最大额定值毫安。在更高的电流效率降低。给定典型值是平均的值的范围内
expected by manufacturer in large quantities and are provided for information only. All measurements were made using lamps in T-1 3/4 packages
(with Hysol OS4000 epoxy encapsulant and clear epoxy die attach). Optical characteristics measured in an integrating sphere using Illuminance E.
的最大正向电流由LED结和环境之间的热阻来决定。这是至关重要的最终产物是
设计中，为了优化产品的性能最大限度地减少从LED结点到环境的热阻的方式。
250
最大正向电流（mA ）
200
150
100
50
RTH
J- á
= 10
RTH
J- á
= 20
RTH
J- á
= 30
RTH
J- á
= 40
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
0
50
75
100
125
150
175
环境温度（ ℃）
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