最大额定值AT＆T
A
= 25°C
注1&3
直流正向电流
Peak Forward Current (1/10 duty cycle @ 1 kHz)
LED结温
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
静电放电阈值（ HBM ）
Note 2
Electrostatic Discharge Classification (MIL-STD-883E)
Note 2
在T典型电气/光学特性
A
= 25°C ，如果= 5毫安
产品型号
正向电压（V
f
, V)
分钟。
C450UT190-Sxxxx-31
C460UT190-Sxxxx-31
C470UT190-Sxxxx-31
C527UT190-Sxxxx-31
机械的特定网络阳离子
描述
P-N结区（ μm）的
芯片的顶部区域（微米）
芯片的底部面积（ μm）的
片厚度（μm）
金键合焊盘直径（μm ）
金键合焊盘的厚度（μm ）
背面接触金属区（微米）
2.7
2.7
2.7
2.7
典型值。
2.9
2.9
2.9
3.0
马克斯。
3.1
3.1
3.1
3.2
注3
CxxxUT190-Sxxxx-31
30 mA
100 mA
125°C
5 V
-40°C to +100°C
-40°C to +100°C
1000 V
Class 2
反向电流
[我（VR = 5 V ） ， μA ]
马克斯。
2
2
2
2
全宽半最大
(λ
D
，NM ）
典型值。
21
21
22
35
CxxxUT190-Sxxxx-31
维
160 x 160
190 x 190
150 x 150
50
85
1.2
80 x 80
公差
± 25
± 25
± 25
± 10
-10/+15
± 0.5
± 25
1.最大的评级是取决于封装形式。上述评级均使用T - 1 3/4封装（与多Hysol OS4000确定
环氧树脂）为特征。评分其他包可能会有所不同。的正向电流（直流和峰值）不受模具的限制
but by the effect of the LED junction temperature on the package. The junction temperature limit of 125°C is a limit of the T-1
3/4 package; junction temperature should be characterized in a specific package to determine limitations. Assembly processing
temperature must not exceed 325°C (< 5 seconds).
2.产品耐根据HBM的静电放电（ESD ）是通过使用快速雪崩模拟的ESD测量
能量检测（ RAET ） 。该RAET程序设计为近似所示的最低ESD额定值。的ESD分类
Class 2 is based on sample testing according to MIL-STD-883E.
3.所有的产品符合上市最低和最高规格的电气和光学特性组装时
而在操作上面显示的最大额定值在5毫安。在更高的电流效率降低。典型的给定值
是预期通过在大量生产平均的值的范围内，并且只用于提供信息。所有
measurements were made using lamps in T-1 3/4 packages (with Hysol OS4000 epoxy). Optical characteristics measured in an
使用照度E.积分球
4.注意：为了获得最佳的输出效率，环氧树脂的用量应根据具体的特征
应用程序“。
注意事项：
版权所有©2010 Cree ， Inc.保留所有权利。本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。 Cree公司的
Cree徽标和G •碳化硅均为注册商标，超薄和UT是Cree，Inc.的商标
Cree公司
4600矽驱动器
达勒姆， NC 27703
USA电话： +1.919.313.5300
www.cree.com
2
CPR3EP版本A
CREE [ CREE, INC ]
