最大额定值AT＆T
A
= 25°C
注意事项？ &3
直流正向电流
峰值正向电流（1/10占空比@ 1kHz时）
LED结温
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
静电放电阈值（ HBM ）
注2
静电放电分类（ MIL -STD- 883E ）
注2
在T典型电气/光学特性= 25°C ，如果= 20mA下
产品型号
正向电压（V
f
, V)
分钟。
C460XT290-Sxx00-A
C470XT290-Sxx00-A
C505XT290-S0100-A
C527XT290-S0100-A
机械的特定网络阳离子
描述
P-N结区（ μm）的
顶部区域（微米）
底面积（ μm）的
片厚度（μm）
金键合焊盘直径（μm ）
金键合焊盘的厚度（μm ）
背接触金属区（微米）
背接触金属厚度（μm ） （金/锡）
注4
2.7
2.7
2.7
2.7
典型值。
3.2
3.2
3.2
3.2
马克斯。
3.7
3.7
3.7
3.7
注3
CxxxXT290-Sxx00-A
30mA
100mA
125°C
5V
-40 ° C至+ 100°C
-40 ° C至+ 100°C
1000V
2级
反向电流
[我（VR = 5V ） ， μA ]
马克斯。
2
2
2
2
全宽半最大
(λ
D
，NM ）
典型值。
21
22
30
35
CxxxXT290-Sxx00-A
维
250 x 250
200 x 200
300 x 300
115
105
1.2
210 x 210
1.7
公差
± 25
± 25
± 25
± 15
-5, +15
± 0.5
± 25
± 0.3
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
最大额定值是包依赖。上述评级均使用T - 1 3/4封装（与多Hysol OS4000确定
环氧树脂）为特征。评分其他包可能会有所不同。的正向电流（直流和峰值）不受模具的限制
但通过对封装的LED的结温的影响。为125℃的结温限制是T -1的限
3/4包;结温度应特征在于一个特定的包，以确定限制。组装加工
温度不能超过325 ℃（ < 5秒）。见克里Xthin应用笔记的详细装配过程的信息。
产品的耐根据HBM静电放电（ESD ）是通过使用快速雪崩模拟的ESD测量
能量检测（ RAET ） 。该RAET程序设计为近似显示的最大ESD额定值。该RAET程序
每个芯片完成。 2级的ESD分类是按照MIL -STD- 883E基于抽样检测。
所有产品均符合所列出的最小和最大规格的电学和光学特性的组装时
并经营在20mA以上显示的最大额定值。在更高的电流效率降低。典型的给定值
是预期通过在大量生产平均的值的范围内，并且只用于提供信息。所有
测量是用灯具中的T- 1 3/4封装（用多Hysol OS4000环氧树脂）制成。在测量光学特性
使用照度E.积分球
背接触金属是80 ％/ 20％的Au / Sn的重量，以约282 ℃的目标共晶熔化温度。见XBright®
申请注意事项的详细包装的建议。
注意：为避免漏电流和实现最大的产出效率，芯片粘接材料不能接触的一侧
芯片。见克里XBright应用笔记以获取更多信息。
XThin芯片附带的交界处面朝下，不需要事先模具转移到芯片粘接。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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2
CPR3BV版本ħ
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