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CAS100H12AM1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CAS100H12AM1
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内容描述: 1200V , 100A碳化硅半桥模块 [1200V, 100A Silicon Carbide Half-Bridge Module]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 740 K
品牌: CREE [ CREE, INC ]
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CAS100H12AM1
1200V , 100A碳化硅
半桥模块
Z- FET
TM
MOSFET和Z -REC
TM
二极管
特点
V
DS
I
D
(T
C
=
100˚C)
R
DS ( ON)
1200 V
100 A
16 mΩ
超低损耗
高耐用性
高频率工作
从二极管零反向恢复电流
从零MOSFET关断拖尾电流
在V正温度系数
F
和V
DS
(上)
系统优势
使结构紧凑,重量轻系统
高效率运行
降低过电压保护
易于晶体管栅极控制
降低散热要求
应用
高功率转换器
电机驱动
太阳能逆变器
UPS和SMPS
感应加热
产品型号
CAS100H12AM1
半桥模块
记号
CAS100H12AM1
最大额定值(T
C
=
25 ° C除非另有说明)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D(脉冲)
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
结温
案例和存储温度范围
案例隔离电压
杂散电感
安装扭矩
重量
间隙距离
爬电?距离
价值
1200
-5/+20
165
105
400
150
-55 to +125
6000
<15
2.94
200
12.2
17.3
20.2
单位
V
V
A
A
˚C
˚C
V
nH
Nm
g
mm
mm
mm
终端到终端
终端到终端
终端底板
AC, t=1min
沿着从最大路径测量
垫挑着
V
GS
= 20V, T
C
=25˚C
V
GS
= 20V, T
C
=100˚C
脉冲宽度t
P
= 1ms
被T的限制
JMAX
,T
C
= 25˚C
测试条件
笔记
v. -
H12AM1 ,再
EET : CAS100
Datash
T
J
T
C
,T
英镑
V
ISOL
L
杂散
M
G
如有更改,恕不另行通知。
www.cree.com
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