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CMF10120D 参数 Datasheet PDF下载

CMF10120D图片预览
型号: CMF10120D
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内容描述: 碳化硅功率MOSFET [Silicon Carbide Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 948 K
品牌: CREE [ CREE, INC ]
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CMF10120D-
碳化硅功率MOSFET
ž -F
eT
TM
M
OSFET
N沟道增强模式
特点
V
DS
I
D(最大)
R
DS ( ON)
= 1200 V
= 24 A
= 160mΩ
高速开关低的电容
高阻断电压与低R
DS ( ON)
易于并行和简单驱动器
雪崩耐用性
抗闩锁
无卤素,符合RoHS
TO-247-3
好处
更高的系统效率
减少冷却要求
增加了系统的开关频率
应用
太阳能逆变器
高电压DC / DC转换器
电机驱动
开关模式电源
产品型号
CMF10120D
TO-247-3
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
连续漏电流
价值
24
13
49
1.2
0.8
10
-5/+25
134
-55〜
+135
260
1
8.8
单位
A
测试条件
V
GS
@ 20V ,T
C
= 25˚C
V
GS
@ 20V ,T
C
= 100˚C
图。 10
I
D
I
Dpulse
E
AS
E
AR
I
AR
V
GS
P
合计
T
J
, T
英镑
T
L
M
d
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
门源电压
功耗
工作结温和存储温度
焊锡温度
安装力矩
A
J
J
A
V
W
˚C
˚C
脉冲宽度t
P
限制T
JMAX
T
C
= 25˚C
I
D
= 10A ,V
DD
= 50 V,
L = 20毫亨
t
AR
限制T
JMAX
I
D
= 10A ,V
DD
= 50 V,L = 15毫亨
t
AR
限制T
JMAX
图。 15
T
C
=25˚C
图。 9
从案例10秒1.6毫米( 0.063 “ )
Nm
M3或6-32螺丝
磅力 - 英寸
1
CMF10120D版本A