CRF24010D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CRF24010D
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内容描述：	10瓦的SiC射频功率MESFET模具 [10 W SiC RF Power MESFET Die]
分类和应用：	晶体晶体管射频
文件页数/大小：	8 页 / 842 K
品牌：	CREE [ CREE, INC ]

初步

CRF2400D

？ 0瓦特的SiC射频功率MESFET模

Cree的CRF24010是碳化硅（SiC ） RF功率金属 - 半导体

场效应晶体管（ MESFET ）。碳化硅具有比较优异的性能

以硅或砷化镓，包括更高的击穿电压，更高的

饱和电子漂移速度，以及更高的热导率。碳化硅

MESFET的提供更大的功率密度和更宽的带宽相比，

与Si和GaAs晶体管。

PN ： CRF240

10D

特点

应用

•

15分贝小信号增益

10瓦最小的P

1dB

48 V工作

高的击穿电压

高温作业

高达5 GHz的操作

高效率

•

宽带军事通信

安全通讯科的国土防御

A类， AB放大器

TDMA， EDGE，CDMA和W-CDMA

宽带放大器

MMDS

包装信息

•

裸片出货的凝胶PAK®容器。

非粘性粘性膜固定不变期间死亡

出货。

2006年LY

修订版0.5 - 菊

如有更改，恕不另行通知。

www.cree.com/wireless

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