克里
®
EZ700 ™第二代LED
数据表
CxxxEZ700-Sxx000-2
Cree公司的EZBright ™ LED是新一代的固态LED发射器,结合高效的InGaN材料
与Cree的专利光学设计和设备技术,提供了高亮度LED卓越的价值。该
光学设计最大化光提取效率,使具有朗伯辐射图案。此外,这些
LED是裸片附接用导电环氧树脂,焊膏或预成形焊料中,除了使用焊剂共晶
method. These vertically structured, low forward voltage LED chips are approximately 170 microns in height. Cree’s
EZ ™芯片进行测试,以便符合光学和电气规范。这些LED是在一个宽范围的有用
的应用,如一般照明,汽车照明和LCD背光。
特点
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的EZBright功率LED芯片的射频性能
- 240毫瓦分钟。 - 450 & 460处
- 200毫瓦分钟。 - 470纳米
- 90毫瓦分钟。 - 527纳米
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朗伯辐射
导电环氧树脂,焊膏或预成型,
或焊剂共晶附加
Low Forward Voltage – 3.6 V Typical at 350
mA
单线债券结构
在整个外膜表面电介质钝化
应用
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通用照明
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–
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飞机
装饰照明
工作照明
户外照明
投影灯
白光LED
人行横道信号
背光
汽车
CxxxEZ700 - Sxx000-2芯片图
顶视图
的EZBright LED芯片
680 x 680 µm
背面
金属化
黄金债券垫
150 x 150 µm
底部视图
模具截面
诉B
CPR3DW回复
数据表:
阴极( - )
t = 170 µm
电介质钝化
阳极(+),
3 µm AuSn
如有更改,恕不另行通知。
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