初步
CBC34123的EnerChip ™ RTC
绝对最大额定值
参数/ PIN
V
DD
相对于GND
使能输入电压
V
EC
(1)
V
CHG
(1)
条件
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
民
GND - 0.3
GND - 0.3
3.0
3.0
GND - 0.3
典型
-
-
-
-
-
最大
6.0
V
DD
+0.3
4.15
4.15
2.7
单位
V
V
V
V
V
复位输出电压
INT / ， CE ， TEST ， OSCI ， OSCO ， SDO ，
SDI ， SCL ， CLKOE ， CLKOUT
(1)
见NXP PCF2123数据表
无需外部连接到这些引脚被允许的，除了平行EnerChips 。
集成的EnerChip薄膜电池工作特性
参数
自放电率（5年。平均）
工作温度
储存温度
充电周期
（以80 ％的额定
容量）
25°C
40°C
条件
不可恢复
可采
民
-
-
-20
-40
5000
1000
2500
500
-
-
5
典型
2.5
1.5
(1)
25
-
-
-
-
-
11
45
-
最大
-
-
+70
+125
(2)
-
-
-
-
22
70
-
单位
％每年
％每年
°C
°C
周期
周期
周期
周期
分钟
ΦAH
-
-
10％的放电深度的
50 ％放电深度的
10％的放电深度的
50％的放电深度的
充电周期2
充电周期1000
25°C
充电时间（以80 ％的额定
能力; 4.1V充电; 25℃）下
容量（参见图5）
(1)
(2)
正月采自放电5 ％的平均水平。
储存温度是不带电的EnerChip CC设备。
图5： CBC005的EnerChip的典型放电特性内CBC34123
注：在本文档中包含的所有规格如有变更，恕不另行通知。
DS- 72-31 V.08
© 2012 Cymbet的公司•电话： + 1-763-633-1780 •www.cymbet.com
第4页第9
CYMBET [ CYMBET CORPORATION ]
