CY2287
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
电源电压................................................ ..- 0.5〜 + 7.0V
输入电压.............................................. -0.5 V到V
DD
+0.5
储存温度（无冷凝） ... -65 ° C至+ 150°C
马克斯。焊接温度（ 10秒） ...................... + 260℃
结温............................................... + 150℃
封装功耗1W ..............................................
静电放电电压
（每MIL -STD -883方法3015 ） ............................. >2000V
工作条件
在其电气参数都保证
参数
V
DD3.3V
V
DD2.5V
T
A
C
L
描述
3.3V电源电压
2.5V电源电压
工作温度，环境
马克斯。电容负载
CPU ， USB ，楼盘， APIC
的SDRAM ，PCI 3V66
基准频率振荡器标称值
14.318
分钟。
3.135
2.375
0
马克斯。
3.465
2.625
70
20
30
14.318
兆赫
单位
V
V
°C
pF
f
（ REF ）
电气特性
在整个工作范围
参数
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
OH
描述
高电平输入电压
低电平输入电压
输入高电流
输入低电平电流
高电平输出电流
SCLK / SDATA
除了SCLK / SDATA和晶体输入，所有输入
SCLK / SDATA
0℃， V
IN
＆ LT ; V
DD
0℃， V
IN
＆ LT ; V
DD
中央处理器
USB ， REF
SDRAM
PCI ， 3V66
APIC
I
OL
低电平输出电流
中央处理器
USB ， REF
SDRAM
PCI ， 3V66
APIC
I
OZ
I
DD2
I
DD3
I
DDPD2
I
DDPD3
输出漏电流
2.5V电源电流
3.3V电源电流
2.5V关断电流
3.3V关断电流
三态
AV
DD
/V
DD33
= 3.465V, V
DD25
= 2.625V ，女
中央处理器
= 100兆赫
AV
DD
/V
DD33
= 3.465V, V
DD25
= 2.625V ，女
中央处理器
= 100兆赫
AV
DD
/V
DD33
= 3.465V, V
DD25
= 2.625V
[7]
AV
DD
/V
DDQ3
= 3.465V, V
DD25
= 2.625V
[7]
<1
<9
V
OH
= 2.0V
V
OH
= 2.4V
V
OH
= 2.4V
V
OH
= 2.4V
V
OH
= 2.0V
V
OL
= 0.4V
V
OL
= 0.4V
V
OL
= 0.4V
V
OL
= 0.4V
V
OL
= 0.4V
–10
–10
–16
–15
–30
–30
–16
19
10
20
20
19
[6]
测试条件
除了SCLK / SDATA和晶体输入，所有输入
[6]
分钟。
2.0
0.7
典型值
MAX 。 UNIT
V
V
DD
0.8
0.3
+10
+10
-60
–51
–100
–100
-60
49
24
49
49
49
10
100
280
500
500
µA
mA
mA
µA
µA
mA
V
V
DD
µA
µA
mA
注意事项：
6.晶体输入有CMOS阈值，名义上V
DD
/2.
7.测试@ 500
µA.
实际表现要好得多。赛普拉斯打电话，如果需要更严格的规范。
5
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
