CY62128E的MoBL
®
1兆位（ 128K ×8）静态RAM
特点
•超高速： 45纳秒
•温度范围
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至+ 85°C
- 汽车-E ： -40°C至+ 125°C
•电压范围： 4.5V - 5.5V
与CY62128B •引脚兼容
•超低待机功耗
- 典型待机电流： 1
µA
- 最大待机电流： 4
µA
（工业级）
•超低有功功率
•
•
•
•
- 典型工作电流：2.1毫安， F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供标准的无铅32引脚STSOP ， 32引脚SOIC ，
和32引脚TSOP封装我
功能说明
该CY62128E是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位， 128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命™ （的MoBL
®
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低了当地址不切换功率消耗。
将器件置于待机模式，降低功耗
取消选择时，由多于99 ％的消费（CE
1
高
或CE
2
LOW ） 。八个输入和输出引脚（IO
0
通过
IO
7
）被置于高阻抗状态时，该设备是
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁止
（ OE高） ，或写操作正在进行（ CE
1
低，
CE
2
HIGH和LOW WE ）
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据
IO引脚（ IO
0
通过IO
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置上出现
IO引脚。
逻辑框图
CE1
CE2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
WE
OE
输入缓冲器
IO0
IO1
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
行解码器
128K ×8
ARRAY
列解码器
动力
下
IO7
A12
A14
A15
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
“系统设计指南”
at
A13
A16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05485牧师* E
•
198冠军苑
•
圣荷西
,
CA 95134-1709
•
408-943-2600
修订后的2007年5月7日
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
