CY62137V的MoBL
®
2兆位（ 128K ×16 ）静态RAM
特点
•高速
= 55 ns的
•温度范围
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车： -40°C至125°C
•宽电压范围： 2.7V - 3.6V
•超低工作，待机功耗
•易于内存扩展CE和OE特点
• TTL兼容的输入和输出
•自动断电时取消
• CMOS的最佳速度/功耗
•提供无铅和无无铅标准
44引脚TSOP II型封装
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可降低功耗
99 ％的消费时，地址不切换。该
设备也可以置于待机模式时取消
（ CE HIGH）或当CE为低电平，既BLE和BHE的
HIGH 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在
，输出取消（ CE HIGH ） ：当一个高阻抗状态
禁用（ OE高） ， BHE和BLE被禁用（ BHE ，
BLE高） ，或者在写操作期间（CE低电平和WE
低） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62137V是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命™ （的MoBL
®
）在
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
10
行解码器
128K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
CE
BHE
BLE
A
11
电源-Down
电路
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记“系统设计指南”上http://www.cypress.com
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05051牧师* E
•
198冠军苑
•
圣荷西
,
CA 95134-1709
•
408-943-2600
修订后的2006年7月19日
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
