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CY62147CV18LL-70BAI 参数 Datasheet PDF下载

CY62147CV18LL-70BAI图片预览
型号: CY62147CV18LL-70BAI
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内容描述: 256K ×16静态RAM [256K x 16 Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 275 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62147CV18 MoBL2 ™
256K ×16静态RAM
特点
•高速
- 55 ns到70 ns的可用性
•低电压范围:
CY62147CV18 : 1.65V - 1.95V
•引脚兼容W / CY62147V18 / BV18
•超低有功功率
- 典型工作电流为0.5毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流: 2毫安@频率= F
最大
( 70纳秒的速度)
低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
99%的功耗,当地址不切换。
该装置还可以deselect-当置于待机模式
ED ( CE为高或都BLE和BHE是HIGH ) 。输入/输出
把引脚( I / O
0
通过I / O
15
)被置于高阻抗
,输出被禁止取消( CE HIGH ) ( OE :时态
HIGH ) ,无论是高字节使能和低字节使能的显示
禁止时(BHE ,BLE高) ,或者在写操作期间(CE低
和WE LOW ) 。
写设备通过采取芯片使能实现
( CE)和写使能( WE)输入低电平。如果低字节使能
( BLE )为低电平,然后从I / O引脚(数据I / O
0
通过I / O
7
) ,是
写入的地址引脚指定的位置(A
0
至A
17
) 。如果高字节使能( BHE )为低电平,则数据
从I / O引脚( I / O
8
通过I / O
15
)被写入的位置
在地址引脚指定的(A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片恩完成
能( CE)和输出使能( OE )低,而强迫写
使能(WE )高。如果低字节使能( BLE )为低电平,则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能( BHE )低,
再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。见
在此数据表的背面的完整信息真值表
scription的读写模式。
该CY62147CV18是采用48球FBGA封装。
功能说明
该CY62147CV18是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为256K字。该器件具有AD-
vanced电路设计,以提供超低有功电流。这
非常适合提供更多的电池寿命™ (的MoBL ™ )便携式
应用,如蜂窝电话。该设备还具有
自动断电功能,可显著降低
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K ×16
RAM阵列
2048 X 2048
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
CE
BHE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
POW
-
唐氏儿
电路
的MoBL , MoBL2 ,而更多的电池寿命是赛普拉斯半导体公司的商标。
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05011牧师* B
3901北一街
A
17
圣荷西
CA 95134 • 408-943-2600
修订后的2001年10月31日