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CY62148ELL-45ZSXI 参数 Datasheet PDF下载

CY62148ELL-45ZSXI图片预览
型号: CY62148ELL-45ZSXI
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内容描述: 4兆位( 512K ×8)静态RAM [4-Mbit (512K x 8) Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 942 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62148E的MoBL
®
4兆位( 512K ×8)静态RAM
特点
•超高速: 45纳秒
•电压范围: 4.5V - 5.5V
与CY62148B •引脚兼容
•超低待机功耗
- 典型待机电流: 1 μA
- 最大待机电流: 7 μA (工业)
•超低有功功率
- 典型工作电流:2.0毫安, F = 1兆赫
•易于扩展内存通过CE , OE和特点
取消时•自动断电
• CMOS最佳的速度和力量
•提供无铅32引脚TSOP II和32引脚SOIC
套餐
功能说明
该CY62148E是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位, 512K字。该设备的特点
先进的电路设计,提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命™ (的MoBL
®
)在
便携式应用,如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能,可显著
降低了当地址不切换功率消耗。
将器件置于待机模式,降低功耗
取消选择时,由多于99 %的消费(CE高电平) 。
八个输入和输出引脚(IO
0
通过IO
7
)置于
在高阻抗状态时:
•取消( CE HIGH )
•禁用输出( OE高)
•写操作处于活动状态(低CE和WE LOW )
写入装置,以芯片启用( CE)和写使能
( WE)输入低电平。在8 IO引脚上的数据( IO
0
通过IO
7
)
将被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
18
).
从设备中读取,需要芯片使能( CE)和输出
启用( OE )低,而强迫写使能( WE) HIGH 。
存储器位置的在这些条件下,将内容
通过引脚上出现的IO引脚的地址来指定。
产品组合
功耗
产品
范围
V
CC
范围(V )
CY62148ELL
CY62148ELL
TSOP II
SOIC
Ind'l
Ind'l /自动-A
4.5
4.5
典型值
5.0
5.0
最大
5.5
5.5
45
55
速度
(纳秒)
我的操作
CC
(MA )
F = 1MHz的
典型值
2
2
最大
2.5
2.5
f = f
最大
典型值
15
15
最大
20
20
待我
SB2
(µA)
典型值
1
1
最大
7
7
笔记
1.为了达到最佳实践建议,请参考赛普拉斯应用笔记“系统设计指南”的
http://www.cypress.com 。
2. SOIC封装仅在55纳秒的速度斌。
3.典型值包括仅供参考,不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC (典型值)
, T
A
= 25°C.
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05442牧师* ˚F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年3月28日