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CY62128EV30LL-45ZXI 参数 Datasheet PDF下载

CY62128EV30LL-45ZXI图片预览
型号: CY62128EV30LL-45ZXI
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内容描述: 1兆位( 128千× 8 )静态RAM的典型待机电流: 1 μA [1-Mbit (128 K × 8) Static RAM Typical standby current: 1 μA]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 15 页 / 906 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62128EV30的MoBL
®
1兆位( 128千× 8 )静态RAM
1兆位( 128千× 8 )静态RAM
特点
功能说明
该CY62128EV30
是一种高性能的CMOS静态RAM
模块组织成128 K字×8位。该设备的特点
先进的电路设计,提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life (的MoBL
®
)便携式
应用,如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能,可显著降低功耗
消费时地址不切换。配售
器件在待机模式下通过更降低了功耗
比时取消99% ( CE
1
高或CE
2
低) 。该
八个输入和输出引脚( I / O
0
通过I / O
7
)被放置在一个
当取消选择器件的高阻抗状态(CE
1
或CE
2
LOW )时,输出被禁用( OE高) ,还是写
操作过程中( CE
1
LOW和CE
2
高和WE
低) 。
写入装置,以芯片启用( CE
1
LOW和CE
2
高)和写使能( WE)输入低电平。在八个数据I / O
销将被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
16
).
从设备中读取,需要芯片使能( CE
1
LOW和CE
2
高)和输出使能( OE )为低,同时迫使写使能
( WE) HIGH 。存储器的在这些条件下,将内容
由地址引脚指定的位置上出现I / O引脚。
超高速: 45纳秒
温度范围:
工业: -40 ° C至+85°C
宽电压范围: 2.2 V至3.6 V
引脚兼容CY62128DV30
超低待机功耗
典型待机电流: 1 μA
最大待机电流: 4 μA
超低有功功率
典型工作电流: 1.3毫安在f = 1 MHz的
易内存扩展与CE
1
,CE
2,
和OE特点
取消时自动断电
互补金属氧化物半导体(CMOS)为
最佳速度和功率
提供无铅32引脚SOIC , 32引脚薄型小尺寸
封装( TSOP ),我,以及32引脚缩水薄型小尺寸
包( STSOP )包
逻辑框图
CE1
CE2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
WE
OE
输入缓冲器
I / O 0
I / O 1
检测放大器
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
行解码器
128K ×8
ARRAY
列解码器
动力
I / O 7
A12
A14
1.为了达到最佳实践建议,请参考赛普拉斯应用笔记
“系统设计指南”
at
http://www.cypress.com 。
A13
A15
A16
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05579牧师* I
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年1月6日