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CY62148ELL-55SXI 参数 Datasheet PDF下载

CY62148ELL-55SXI图片预览
型号: CY62148ELL-55SXI
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内容描述: 4兆位( 512K的× 8 )静态RAM [4-Mbit (512 K × 8) Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 14 页 / 407 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62148E的MoBL
®
4兆位( 512K的× 8 )静态RAM
4兆位( 512K的× 8 )静态RAM
特点
功能说明
该CY62148E是一种高性能的CMOS静态RAM
组织512 K字×8位。该设备的特点
先进的电路设计,提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life (的MoBL
®
)便携式
应用,如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能,可显著降低功耗
消费时地址不切换。配售
器件进入待机模式,以更降低了功耗
超过99 %时,取消选择( CE HIGH ) 。在八进
输出引脚( I / O
0
通过I / O
7
)被置于高阻抗
当设备被取消( CE HIGH)状态,输出
禁用( OE HIGH )或有效写操作期间( CE
低和WE LOW )
写入装置,以芯片启用( CE)和写使能
( WE)输入低电平。在8个I / O引脚的数据(I / O
0
通过I / O
7
)
将被写入的地址引脚指定的位置(A
0
至A
18
).
从设备中读取,需要芯片使能( CE)和输出
启用( OE )低,而强迫写使能( WE) HIGH 。下
这些条件下,存储位置的指定内容
由地址引脚上出现I / O引脚。
为了获得最佳的实践建议,请参阅赛普拉斯
应用说明
超高速: 45纳秒
电压范围: 4.5 V至5.5 V
引脚兼容CY62148B
超低待机功耗
典型待机电流: 1 μA
最大待机电流: 7 μA (工业)
超低有功功率
典型工作电流:2.0毫安F = 1兆赫
易内存扩展与CE , OE和特点
取消时自动断电
互补金属氧化物半导体(CMOS)为
最佳速度和功率
可提供无铅32引脚薄型小尺寸封装( TSOP ) II
和32引脚小外形集成电路( SOIC )
套餐
逻辑框图
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
CE
WE
OE
输入缓冲器
行解码器
I / O
IO0
0
I / O
IO1
1
检测放大器
I / O
IO2
2
I / O
IO3
3
I / O
IO4
4
I / O
IO5
5
I / O
IO6
6
I / O
512K ×8
ARRAY
列解码器
动力
IO7
7
A13
A15
A16
A17
1. SOIC封装仅在55纳秒的速度斌。
A14
A18
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05442牧师* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2010年8月23日