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CY62157EV30LL-45ZSXI 参数 Datasheet PDF下载

CY62157EV30LL-45ZSXI图片预览
型号: CY62157EV30LL-45ZSXI
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内容描述: 取消当8兆位( 512K的×16 )静态RAM自动断电 [8-Mbit (512 K x 16) Static RAM Automatic power down when deselected]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 21 页 / 459 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62157EV30的MoBL
®
8兆位( 512K的× 16 )静态RAM
8兆位( 512K的× 16 )静态RAM
特点
功能说明
该CY62157EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为512K字。该设备的特点
先进的电路设计,提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life (的MoBL
®
)便携式
应用,如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能,可显著降低功耗
消费时地址不切换。将设备
取消当进入待机模式( CE
1
高或CE
2
或低
无论BHE和BLE的高) 。的输入或输出引脚( I / O的
0
通过I / O
15
)被置于高阻抗状态时的
取消选择器件( CE
1
高或CE
2
低) ,则输出
禁用( OE高) ,高字节使能和低字节使能是
禁用( BHE ,BLE高) ,或者在写操作是活动的( CE
1
低,CE
2
HIGH和LOW WE ) 。
写入装置,以芯片启用( CE
1
LOW和CE
2
高)和写使能( WE)输入低电平。如果低字节使能
( BLE )为低电平,然后从I / O引脚(数据I / O
0
通过I / O
7
)是
写入的地址引脚指定的位置(A
0
通过
A
18
) 。如果高字节使能( BHE )为低电平,然后从I / O引脚上的数据
( I / O
8
通过I / O
15
)被写入到所指定的位置的
地址引脚(A
0
至A
18
).
从设备中读取,需要芯片使能( CE
1
LOW和CE
2
HIGH )和输出使能( OE )低,而强迫写
使能(WE )高。如果低字节使能( BLE )为低电平,则数据
从通过销出现的地址所指定的存储器位置
在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能( BHE )为低电平,然后从数据
内存出现在I / O
8
到I / O
15
。看
用于读取和写入模式的完整描述。
薄型小尺寸封装( TSOP )我包配置为
512 K&times 16或1M ×8静态RAM(SRAM )
高速: 45纳秒
温度范围
工业: -40 ° C至+85°C
汽车-A : -40°C至+85°C
汽车-E : -40°C至+125°C
宽电压范围: 2.20 V至3.60 V
引脚兼容CY62157DV30
超低待机功耗
典型待机电流: 2
A
最大待机电流: 8
A
(工业级)
超低有功功率
典型工作电流为1.8毫安F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
,CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
互补金属氧化物半导体(CMOS)为
最佳速度和功率
可提供无铅和无无铅48球非常细间距球
栅阵列( VFBGA ) ,无铅44引脚TSOP II和48引脚TSOP I
套餐
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
有512K × 16/1米乘八
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
CE
2
字节
BHE
WE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
掉电
电路
CE
1
BHE
BLE
CE
2
CE
1
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05445牧师* I
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的二零一一年五月三十日