CY7C027V/028V
CY7C037V/038V
开关特性
在整个工作范围
[11]
（续）
CY7C037V/038V
-15
参数
t
HD
t
HZWE [14 ， 15]
t
LZWE [14 ， 15]
t
WDD[41]
t
DDD[41]
t
BLA
t
BHA
t
BLC
t
BHC
t
PS
t
WB
t
WH
t
BDD[18]
t
插件
t
INR
t
SOP
t
SWRD
t
SPS
t
SAA
描述
从写端数据保持
R / W低到高Z
R / W高到低Z
写脉冲数据延迟
写数据有效读取数据有效
BUSY LOW从地址匹配
从地址不匹配繁忙的
BUSY LOW从CE LOW
从CE HIGH HIGH忙
端口设置为优先
BUSY （从）后R / W高
R / W高忙后高（从）
繁忙的到数据有效
INT设置时间
INT复位时间
SEM标志更新脉冲（ OE或SEM ）
SEM标志写阅读时间
SEM国旗竞争窗口
SEM地址访问时间
10
5
5
15
5
0
13
15
15
15
10
5
5
20
3
30
25
15
15
15
15
5
0
15
20
20
20
12
5
5
25
分钟。
0
10
3
40
30
20
20
20
16
5
0
17
25
20
20
马克斯。
分钟。
0
12
3
50
35
20
20
20
17
-20
马克斯。
分钟。
0
15
-25
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
忙碌计时
[16]
中断时序
[16]
SEMAPHORE时序
数据保持方式
该CY7C027V / 028V及CY7037V / 038V的设计与
备用电池的初衷。数据保持电压和供电电流
租金保证在温度。以下规则恩
确保数据保存：
1.芯片使能（ CE ）必须在数据保持高举行，与 -
在V
CC
到V
CC
– 0.2V.
2. CE必须保持V之间
CC
- 0.2V和V 70 ％
CC
在上电和断电的过渡。
3. RAM就可以开始操作>吨
RC
经过V
CC
到达MIN-
imum工作电压（3.0伏）。
定时
数据保持方式
V
CC
3.0V
V
CC
＆ GT ;
2.0V
3.0V
t
RC
V
IH
CE
V
CC
到V
CC
– 0.2V
参数
ICC
DR1
测试条件
[19]
@ VCC
DR
= 2V
马克斯。
50
单位
µA
16.有关端口到端口延迟至RAM单元写入端口信息
阅读端口，请参考阅读时间与繁忙的波形。
使用17.测试条件是负载1 。
18. t
BDD
是一个计算出的参数和为t的较大
WDD
–t
PWE
（实际的）或T
DDD
–t
SD
（实际的） 。
19. CE = V
CC
, V
in
= GND到V
CC
, T
A
= 25 ℃。该参数是有保证
但未经测试。
文件编号： 38-06078修订版**
第8页18
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
