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CY7C1021-12VC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1021-12VC图片预览
型号: CY7C1021-12VC
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内容描述: 64K ×16静态RAM [64K x 16 Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 184 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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021
CY7C1021
64K ×16静态RAM
特点
•高速
— t
AA
= 12 ns的
• CMOS的最佳速度/功耗
•低有功功率
- 1320兆瓦(最大)
•自动断电时取消
•高位和低位的独立控制
•提供44引脚TSOP II和400万SOJ
( BLE )为低电平,然后从I / O引脚(数据I / O
1
通过I / O
8
) ,是
写入的地址引脚指定的位置(A
0
至A
15
) 。如果高字节使能( BHE )为低电平,则数据
从I / O引脚( I / O
9
通过I / O
16
)被写入的位置
在地址引脚指定的(A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片恩完成
能( CE)和输出使能( OE )低,而强迫写
使能(WE )高。如果低字节使能( BLE )为低电平,则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能( BHE )低,
再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。见
在此数据表的背面为一个完整的descrip-真值表
化的读写模式。
的输入/输出管脚( I / O的
1
通过I / O
16
)被放置在一个
高阻抗设备时,取消选择状态( CE
HIGH )时,输出被禁用( OE为高电平)时, BHE和BLE
禁用( BHE , BLE HIGH) ,或写操作( CE过程
低电平和WE为低电平) 。
该CY7C1021是标准的44引脚TSOP II型可
400密耳宽SOJ封装。
功能说明
该CY7C1021是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
由16位ganized为65,536字。该设备具有自动
MATIC掉电功能,显著降低功耗
食用时取消。
写设备通过采取芯片使能实现
( CE)和写使能( WE)输入低电平。如果低字节使能
逻辑框图
数据驱动因素
引脚配置
SOJ / TSOP II
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
I / O
1
- I / O
8
I / O
9
- I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
16
I / O
15
I / O
14
I / O
13
V
SS
V
CC
I / O
12
I / O
11
I / O
10
I / O
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
1021-2
行解码器
选购指南
7C1021-10
最大访问时间(纳秒)
最大工作电流(mA )
最大的CMOS待机电流(mA )
阴影区域包含的初步信息。
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
检测放大器
7C1021-12
12
220
5
0.5
7C1021-15
15
220
5
0.5
7C1021-20
20
220
5
0.5
10
广告
广告
L
220
5
0.5
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05054牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 • 408-943-2600
修订后的2001年8月24日