CY7C1021BV33
开关特性
[4]
在整个工作范围
7C1021BV-8
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[5, 6]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[5, 6]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
周期
[7]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[5, 6]
字节使能，以结束写的
8
8
7
6
0
0
6
4
0
3
4
8
10
8
7
0
0
8
6
0
3
5
8
12
9
8
0
0
8
6
0
3
6
9
15
10
10
0
0
10
8
0
3
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
0
4
0
5
0
12
3
4
0
12
5
0
6
0
4
3
5
0
12
6
0
7
3
8
4
0
5
3
6
0
15
7
8
8
3
10
4
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C1021BV-10
分钟。
马克斯。
7C1021BV-12
分钟。
马克斯。
7C1021BV-15
分钟。
马克斯。
单位
阴影区域包含预览。
数据保持特性
在整个工作范围（仅L型）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[9]
t
R[10]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
Com'l
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
0
t
RC
条件
[8]
分钟。
2.0
100
马克斯。
单位
V
µA
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
ns
ns
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE低电平， WE LOW和BHE / BLE低的重叠限定。 CE， WE和BHE / BLE必须低到开始写，
这些信号的转换可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考终止写入的信号的前沿。
8.无输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
10. t
r
＆ LT ; 3纳秒为-12和-15速度。吨
r
< 5纳秒为-20和较慢的速度。
文件编号： 38-05148修订版**
第11 4
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
