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CY7C1049DV33-10VXI 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1049DV33-10VXI图片预览
型号: CY7C1049DV33-10VXI
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内容描述: 4兆位( 512K ×8)静态RAM [4-Mbit (512K x 8) Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 432 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1049DV33
4兆位( 512K ×8)静态RAM
特点
•引脚和功能兼容CY7C1049CV33
•高速
— t
AA
= 10纳秒
•低有功功率
— I
CC
= 90毫安, 10纳秒(工业)
• CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 10毫安
• 2.0V数据保留
•自动断电时取消
• TTL兼容的输入和输出
•易于内存扩展CE和OE特点
•提供无铅36引脚( 400 mil)的模压SOJ
V36和44引脚TSOP II封装ZS44
功能说明
[1]
该CY7C1049DV33是一个高性能的CMOS静态
内存由8位, 512K字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片提供使能( CE)的
低电平有效输出使能( OE )和三态驱动器。写作
到该设备,采取芯片使能(CE)来实现,并
写使能( WE)输入低电平。在8个I / O引脚的数据(I / O
0
通过I / O
7
)然后被写入到所指定的位置的
地址引脚(A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片完成
使能( CE)和输出使能( OE )为低,同时迫使写
使能( WE) HIGH 。根据这些条件下,内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚( I / O
0
通过I / O
7
)被放置在一个
高阻抗设备时,取消选择状态( CE
HIGH )时,输出被禁用( OE为高电平) ,或写在
操作( CE低, WE LOW ) 。
该CY7C1049DV33是标准的400密耳范围内可用
36引脚SOJ封装和44引脚TSOP II封装中心
电源线和地线(革命)的引脚。
逻辑框图
引脚配置
SO
J
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
GND
I / O
2
I/O3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
7
I / O
6
GND
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
TSOP II
顶视图
NC
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
I / O
0
输入
卜FF器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
I / O
1
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
512K ×8
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
I / O
6
I / O
7
选购指南
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
-10 (工业)
10
90
10
-12 (汽车)
[2]
12
95
15
单位
ns
mA
mA
注意事项:
1.对于SRAM的系统设计指南,请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记,在互联网上提供的www.cypress.com 。
2.汽车的产品信息是初步。
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
NC
NC
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
7
I / O
6
V
SS
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
NC
NC
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05475牧师* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年4月3日