C1399B
CY7C1399B
32K ×8 3.3V静态RAM
特点
•单3.3V电源
•适用于低电压高速缓存存储器的应用
•高速
- 15年10月12日NS
•低有功功率
- 216毫瓦（最大）
•低功耗的α免疫细胞6T
•塑料SOJ和TSOP封装
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。该
设备具有自动断电功能，减少了
取消选择时的功耗的95％以上。
一个低电平有效写使能信号（ WE）控制写入/
读存储器的操作。当CE和WE输入是
既低，对八个数据输入/输出管脚（数据I / O的
0
通过I / O
7
）写入到由寻址的存储器位置
地址本上的地址引脚（A
0
至A
14
).
读出装置通过选择装置来实现
并启用输出， CE和OE低电平有效，虽然我们
保持非活动状态还是很高的。在这些条件下， CON组
位置帐篷解决了地址上的信息
引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。该CY7C1399B是28针标准可用
300密耳宽SOJ和TSOP I型包。
功能说明
[1]
该CY7C1399B是一个高性能的3.3V的CMOS静态
内存由8位， 32,768字。容易记忆EX-
潘申由低电平有效的芯片提供使能（CE ）和
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
输入缓冲器
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
CE
WE
OE
行解码器
I / O
2
检测放大器
32K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
10
A
11
A
12
A
13
选购指南
1399B-10
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（ μA ）
L
10
60
500
50
1399B-12
12
55
500
50
1399B-15
15
50
500
50
1399B-20
20
45
500
50
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05071牧师* C
•
A
14
3901北一街
•
圣荷西
•
CA 95134 • 408-943-2600
修订后的2001年6月19日
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
