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CY7C185-25PC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C185-25PC图片预览
型号: CY7C185-25PC
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内容描述: 8K ×8静态RAM [8K x 8 Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 306 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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1bCY7C185
CY7C185
8K ×8静态RAM
特点
•高速
- 15纳秒
•快速吨
美国能源部
•低有功功率
- 715毫瓦
•低待机功耗
= 85毫瓦
• CMOS的最佳速度/功耗
•易于扩展内存与CE
1
,CE
2
和OE特点
• TTL兼容的输入和输出
•自动断电时取消
•提供非无铅28引脚( 300 mil)的模压SOJ ,
28引脚( 300 mil)的模塑和SOIC两种无铅和无
无铅模塑28引脚( 300 mil)的DIP
功能说明
[1]
该CY7C185是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位, 8192字。易内存扩展
由低电平有效芯片使能( CE提供
1
),活性
高芯片使能( CE
2
)和低电平有效输出使能( OE )
和三态驱动器。该装置具有自动
掉电功能( CE
1
或CE
2
) ,减少了功率
取消选择时,由70%的消耗。该CY7C185是在一个
标准的300密耳宽DIP , SOJ或SOIC封装。
一个低电平有效写使能信号( WE )控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE
1
和WE
输入均为低和CE
2
为高电平时,对八个数据数据
输入/输出管脚( I / O的
0
通过I / O
7
)被写入到存储器
位置上的地址寻址的地址本
销(A
0
至A
12
) 。读出装置通过完成
选择器件和使能输出端,CE
1
和OE
低电平有效,CE
2
高电平有效,当我们处于非活动状态或
HIGH 。位置在这些条件下,将内容
处理由信息上的地址引脚上存在
八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持,除非高阻抗状态
该芯片被选择,输出被使能,和写使能
(WE)为HIGH 。模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
逻辑框图
销刀豆网络gurations
I / O
0
输入缓冲器
I / O
1
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
CE
1
CE
2
WE
OE
NC
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A9
A
10
A
11
A
12
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
DIP / SOJ
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CE
2
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
8K ×8
ARRAY
列解码器
动力
检测放大器
I / O
7
A
10
A
11
选购指南
最大访问时间(纳秒)
最大工作电流(mA )
最大的CMOS待机电流(mA )
-15
15
130
15
-20
20
110
15
-25
25
100
15
-35
35
100
15
注意事项:
1.对于SRAM的系统设计指南,请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记,在互联网上提供的www.cypress.com 。
A
12
A
0
A
9
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05043牧师* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年7月24日