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CY7C199-15PC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C199-15PC图片预览
型号: CY7C199-15PC
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内容描述: 32K x 8静态RAM [32K x 8 Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 319 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C199
32K x 8静态RAM
特点
•高速
= 10纳秒
•快速吨
美国能源部
• CMOS的最佳速度/功耗
•低有功功率
- 467毫瓦(最大12 ns的“L ”版)
•低待机功耗
- 0.275毫瓦(最大值, “L”的版本)
• 2V数据保留(仅“L ”版)
•易于内存扩展CE和OE特点
• TTL兼容的输入和输出
•自动断电时取消
由低电平有效芯片使能( CE)和主动提供
低输出使能( OE )和三态驱动器。该装置
具有自动断电功能,降低功耗
当取消了81 %的消费。该CY7C199是在
标准的300密耳宽DIP , SOJ ,而LCC封装。
一个低电平有效写使能信号( WE )控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE
输入均为低时,在八个数据输入/输出管脚的数据
( I / O
0
通过I / O
7
)被写入到存储器位置
通过地址本上的地址引脚(A解决
0
至A
14
) 。读取装置,通过选择完成
该设备并启用输出, CE和OE低电平有效,
虽然我们仍然处于非活动状态还是很高的。在这些条件下
的位置通过对信息处理的内容
地址引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持,除非高阻抗状态
该芯片被选择,输出被使能,和写使能
(WE)为HIGH 。模头涂布用于改善阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C199是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位, 32,768字。易内存扩展
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ / SOIC
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
LCC
顶视图
3 2 1 28 27
4
26 A
4
5
25 A
3
6
24 A
2
7
23 A
1
8
22 OE
9
21 A
0
20 CE
10
11
19 I / O
7
12
18 I / O
6
1314151617
I/O2
GND
I/O3
I/O4
I/O5
A7
A6
A5
VCC
WE
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
CE
WE
OE
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
1024 x 32 x 8
ARRAY
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
3
I / O
4
I / O
5
COLUMN
解码器
动力
I / O
6
I / O
7
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
TSOP I
顶视图
(不按比例)
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
A
10
A
12
A
13
A
11
选购指南
7C199
-8
8
120
L
最大的CMOS待机电流
L
阴影区域包含预览。
A
14
最大访问时间
最大工作电流
0.5
7C199
-10
10
110
90
0.5
0.05
7C199
-12
12
160
90
10
0.05
7C199
-15
15
155
90
10
0.05
7C199
-20
20
150
90
10
0.05
7C199
-25
25
150
80
10
0.05
7C199
-35
35
140
70
10
0.05
7C199
-45
45
140
10
单位
ns
mA
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05160修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2003年1月7日