CY7C199
电气特性
在工作范围（ -20 ， -25 ， -35 ， -45 ） （续）
[3]
7C199-20
参数
I
SB1
描述
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
测试条件
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
， Com'l
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, L
f = f
最大
最大。 V
CC
,
Com'l
CE > V
CC
– 0.3V
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或
米尔
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
30
5
10
0.05
15
7C199-25
30
5
10
0.05
15
7C199-35
25
5
10
0.05
15
7C199-45
分钟。
MAX 。 UNIT
25
5
10
0.05
15
mA
mA
mA
µA
mA
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
I
SB2
电容
[4 ]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
[5]
R1 481
Ω
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
R2
255
Ω
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
167
Ω
产量
1.73V
R2
255
Ω
3.0V
10%
GND
R1 481
Ω
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
≤
t
r
≤
t
r
(a)
(b)
戴维南等效
数据保持特性
在整个工作范围（仅L-版）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[4]
t
R [5]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
Com'l
Com'l L
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
= 2.0V ， CE＆ GT ; V
CC
–
0.3V, V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ;
0.3V
0
200
条件
[6]
分钟。
2.0
马克斯。
单位
V
µA
10
µA
ns
µs
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
注意：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. t
R
＆ LT ; 3纳秒为-12和-15速度。吨
R
＆ LT ; 5纳秒为-20和较慢的速度
6.无输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
文件编号： 38-05160修订版**
第13 3
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
