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    BTC5706I3 参数 Datasheet PDF下载

    BTC5706I3图片预览
    型号： BTC5706I3
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    内容描述： 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 156 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BTC5706I3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BTC5706I3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BTC5706I3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BTC5706I3的Datasheet PDF文件第5页  
    CYStech Electronics Corp.
    Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor
    Spec. No. : C819I3
    Issued Date : 2004.12.16
    Revised Date :
    Page No. : 1/5
    BTC5706I3
    Features
    •
    Low collector-to-emitter saturation voltage
    •
    High-speed switching
    •
    High allowable power dissipation
    •
    Large current capability
    Applications
    •
    DC-DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes.
    Symbol
    BTC5706I3
    Outline
    TO-251
    B：Base
    C：Collector
    E：Emitter
    B CC E
    B
    BTC5706I3
    CYStek Product Specification

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