CYStech电子股份有限公司
双P沟道MOSFET
规格。编号: C465S6R
发行日期: 2012年12月25日
修订日期:
页页次: 1月8日
BSS84S6R
特点
•低导通电阻
•高ESD能力
•高开关速度
•低电压驱动( -2.5V )
= Pb-Free包装
BV
DSS
I
D
R
DSON
@V
GS
= -10V ,我
D
=-100mA
D
=-100mA
D
=-30mA
-50V
-170mA
5Ω (典型值)
6Ω (典型值)
8Ω (典型值)
等效电路
BSS84S6R
概要
SOT-363R
Tr1
Tr2
以下特征同时适用于Tr1和Tr2
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
A
= 25 ° C,V
GS
=-5V
连续漏电流@ T
A
= 85°C ,V
GS
=-5V
漏电流脉冲
(注1,2 )
T
A
=25℃
最大功率耗散
T
A
=85℃
工作结温和存储温度
(注3)
符号
V
DS
V
GS
(注3)
(注3)
I
D
I
DM
P
D
TJ , TSTG
范围
-50
±20
-170
-120
-800
300
160
-55~+150
单位
V
mA
mA
mW
°C
注:1,脉冲宽度有限的最高结温。
2.脉冲width≤ 300μS ,占空比cycle≤2 % 。
3.表面安装在1平方英寸的FR - 4电路板, t≤5s铜垫。
BSS84S6R
CYStek产品规格