BTA1012E3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTA1012E3
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内容描述：	低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 148 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT PNP外延平面晶体管

规格。编号： C601E3

发行日期： 2004年7月26日

修订日期：

页页次： 1/4

BTA1012E3

特点

•

低V

（SAT），V

（SAT） = - 0.4 V（典型值），在我

/ I

= -3A / -0.15A

•

优良的直流电流增益特性

•

范围的SOA

符号

BTA1012E3

概要

TO-220AB

B：基本

C：收藏家

E：发射器

BCE

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

功耗

结温

储存温度

注： * 1

单脉冲Pw = 10ms的

BTA1012E3

符号

CBO

首席执行官

EBO

（DC）的

（脉冲）

PD （T

=25℃)

PD （T

=25℃)

TSTG

范围

-60

-50

-5

-8

-1

150

-55~+150

单位

°C

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