BTA1210T3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTA1210T3
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内容描述：	PNP外延平面晶体管 [PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 163 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

特性曲线

电流增益VS集电极电流

10000

VCE=3V

规格。编号： C656T3

发行日期： 2004年9月1日

修订日期：

页页次： 3/4

饱和电压与集电极电流

VCESAT@IC=250IB

电流增益---

的hFE

1000

100

饱和电压 - （ V）

100

1000

集电极电流IC --- （MA ）

10000

0.1

100

1000

集电极电流IC --- （MA ）

10000

在电压随集电极电流

功耗--- P

(W)

VBEON@VCE=3V

功率降额曲线

1.25

0.75

0.5

0.25

对电压--- （ V）

0.1

100

1000

10000

集电极电流IC --- （MA ）

100

150

200

环境温度--- T

(℃)

功率降额曲线

功耗--- P

(W)

100

150

外壳温度--- T

(℃)

200

BTA1210T3

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