BTA1640J3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTA1640J3
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内容描述：	PNP外延平面功率晶体管 [PNP Epitaxial Planar Power Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 240 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

PNP外延平面功率晶体管

规格。编号： C657J3

发行日期： 2007年4月4日

修订日期： 2009.02.04

页页次： 1/6

BTA1640J3

特点

首席执行官

CESAT

-50V

-7A

70mΩ

•

低集电极 - 发射极饱和电压，V

CE （ SAT ）

= -0.4V （最大值） @我

= -3A ，我

=-0.15A

•

出色的电流增益线性度

•

符合RoHS标准的封装

符号

BTA1640J3

概要

TO-252

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B权证

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

功率耗散@ T

=25℃

功率耗散@ T

=25℃

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

结温

储存温度

注： 1。单脉冲私服

≦

380μs ，占空比

≦

2%.

符号

CBO

首席执行官

EBO

θJA

θJC

TSTG

范围

-30

-5

-7

-10

（注1 ）

125

6.25

150

-55~+150

单位

° C / W

°C

BTA1640J3

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