BTA1759M3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTA1759M3
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内容描述：	高电压PNP外延平面晶体管 [High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 154 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

高电压PNP外延平面晶体管

规格。编号： C309M3

发行日期： 2003年6月30日

修订日期：

页页次： 1/4

BTA1759M3

描述

•

高击穿电压。（ BV

首席执行官

=-400V)

•

低饱和电压，通常V

CE （ SAT ）

= -0.07V的IC / I

=-10mA/-1mA.

•

广泛的SOA （安全工作区）。

•

补充BTC4505M3 。

符号

BTA1759M3

概要

SOT-89

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B权证

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

符号

CBO

首席执行官

EBO

范围

-400

-6

-300

0.6

（注1 ）

（注2 ）

208

125

（注1 ）

62.5

（注2 ）

150

-55~+150

单位

° C / W

°C

热阻，结到环境

结温

储存温度

θJA

TSTG

注： 1。当安装在FR-4印刷电路板用面积测量10×10× 1毫米

2.当安装在陶瓷领域的测量40 ×40× 1毫米

BTA1759M3

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