BTA1759N3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTA1759N3
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内容描述：	高电压PNP外延平面晶体管 [High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 155 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

高电压PNP外延平面晶体管

规格。编号： C309N3

发行日期： 2003年5月9日

修订日期： 2004年4月2日

页页次： 1/4

BTA1759N3

描述

•

高击穿电压。（ BV

首席执行官

=-400V)

•

低饱和电压，典型的V

CE （ SAT ）

= -0.2V的IC / I

=-20mA/-2mA.

•

广泛的SOA （安全工作区）。

•

补充BTC4505N3 。

符号

BTA1759N3

概要

SOT-23

B：基本

C：收藏家

E：发射器

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

范围

-400

-7

-300

225

150

-55~+150

单位

°C

BTA1759N3

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