BTA1952J3_09 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTA1952J3_09
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内容描述：	低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 232 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT PNP外延平面晶体管

规格。编号： C601J3

发行日期： 2004年5月17日

修订日期： 2009.02.04

页页次： 1/6

BTA1952J3

特点

•

低V

（SAT），V

（SAT） = - 0.3 V （典型值），在我

/ I

= -2A / -0.2A

•

优良的直流电流增益特性

•

范围的SOA

•

补充BTC5103J3

•

符合RoHS标准的封装

首席执行官

CESAT

-100V

-5A

150mΩ

符号

BTA1952J3

概要

TO-252

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B权证

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

结温

储存温度

注： * 1

单脉冲Pw = 10ms的

BTA1952J3

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（ DC ）

C（脉冲）

PD （T

=25℃)

PD （T

=25℃)

TSTG

范围

-100

-80

-5

-10

150

-55~+150

单位

°C

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