BTB1182J3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTB1182J3
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内容描述：	低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 139 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT PNP外延平面晶体管

规格。编号： C812J3

发行日期： 2003年5月25日

修订日期：

页页次： 1/4

BTB1182J3

特点

•

低V

（SAT），V

（SAT） = - 0.7 V（典型值），在我

/ I

= -2A / -0.5A

•

出色的电流增益特性

•

补充BTD1758J3

符号

BTB1182J3

概要

TO-252

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B权证

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

功率耗散（T

=25℃)

结温

储存温度

记

单脉冲， PW = 10毫秒

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

范围

-40

-30

-5

-2

-5

（注）

150

-55~+150

单位

°C

BTB1182J3

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