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    BTB1184J3_09 参数 Datasheet PDF下载

    BTB1184J3_09图片预览
    型号： BTB1184J3_09
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 243 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BTB1184J3_09的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BTB1184J3_09的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BTB1184J3_09的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BTB1184J3_09的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BTB1184J3_09的Datasheet PDF文件第6页  
    CYStech电子股份有限公司
    特性（Ta = 25_C ）
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    *V
    CE （ SAT ）
    *V
    BE （ SAT ）
    *h
    FE
    1
    *h
    FE
    2
    *h
    FE
    3
    f
    T
    COB
    分钟。
    -60
    -50
    -6
    -
    -
    -
    -
    120
    180
    80
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -0.26
    -0.96
    -
    -
    -
    80
    35
    马克斯。
    -
    -
    -
    -1
    -1
    -0.5
    -1.2
    -
    560
    -
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    V
    V
    -
    -
    -
    兆赫
    pF
    规格。编号： C817J3
    发行日期： 2003年4月18日
    修订日期： 2009.02.04
    页页次： 2/6
    测试条件
    I
    C
    = -50μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -50μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -40V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -4V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-0.1A
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-0.1A
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    =-20mA
    V
    CE
    = -3V ，我
    C
    =-500mA
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    =-1A
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -0.1A ， F = 100MHz的
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    *脉冲测试：脉冲宽度
    ≤380μs,
    值班Cycle≤2 ％
    分类h及
    FE
    2
    秩
    范围
    R
    180~390
    S
    270~560
    订购信息
    设备
    BTB1184J3
    包
    TO-252
    （符合RoHS ）
    航运
    2500个/带卷&
    记号
    B1184
    推荐焊接足迹
    BTB1184J3
    CYStek产品规格

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