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    BTB1205I3 参数 Datasheet PDF下载

    BTB1205I3图片预览
    型号： BTB1205I3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 204 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BTB1205I3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BTB1205I3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BTB1205I3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BTB1205I3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BTB1205I3的Datasheet PDF文件第6页  
    CYStech电子股份有限公司
    低VCESAT PNP外延平面晶体管
    规格。编号： C815I3
    发行日期： 2005年3月29日
    修订日期： 2009.02.04
    页页次： 1月6日
    BTB1205I3
    特点
    •
    低V
    CE （ SAT ）
    , V
    CE （ SAT ）
    = -0.38 V（典型值） ，在我
    C
    / I
    B
    = -3A / -60mA
    •
    优良的直流电流增益特性
    •
    开关速度快
    •
    电流容量大
    •
    符合RoHS标准的封装
    BV
    首席执行官
    I
    C
    R
    CESAT
    -20V
    -5A
    127mΩ （典型值） 。
    应用
    •
    频闪，电压调节器，继电器驱动器，灯驱动器
    符号
    BTB1805I3
    概要
    TO-251
    B：基本
    C：收藏家
    E：发射器
    B权证
    BTB1205I3
    CYStek产品规格

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