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BTB1216J3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BTB1216J3
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内容描述: PNP外延平面大电流(高性能)晶体管 [PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 255 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
规格。编号: C811J3
发行日期: 2008.12.10
修订日期: 2009.02.04
页页次: 1/7
PNP外延平面大电流(高性能)晶体管
BTB1216J3
特点
4安培连续电流,由10安培峰值电流
极低的饱和电压
指定最多3安培出色的增益特性
导通电阻,R极低的等效
CE ( SAT )
=90m
Ω
AT 3A
符合RoHS标准的封装
BV
首席执行官
I
C
R
CE ( SAT )
-140V
-4A
90mΩ (典型值) 。
符号
BTB1216J3
概要
TO-252
B:基本
C:收藏家
E:发射器
B
C
E
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
功耗@T
A
=25°C
功耗@T
C
=25°C
工作和存储温度范围
注: 1.单脉冲, Pw≤10ms
BTB1216J3
CYStek产品规格
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
Pd
TJ ; TSTG
范围
-180
-140
-6
-4
-10
(注1 )
-1
1
20
-55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C