BTB1386LN3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTB1386LN3
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内容描述：	低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 170 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT PNP外延平面晶体管

规格。编号： C851N3

发行日期： 2004年2月27日

修订日期： 2004年7月1日

页页次： 1/4

BTB1386LN3

特点

•

低V

（SAT），V

（SAT） = - 0.6 V（典型值），在我

/ I

= -4A / -0.1A

•

优良的直流电流增益特性

•

补充BTD2098LN3

符号

BTB1386LN3

概要

SOT-23

B：基本

C：收藏家

E：发射器

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

热阻，结到环境

结温

储存温度

注意：

1.单脉冲PW ≦ 350μS ，占空比≦ 2 ％。

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（ DC ）

C（脉冲）

θJA

TSTG

范围

-20

-15

-6

-5

-10

（注）

225

556

150

-55~+150

单位

° C / W

°C

BTB1386LN3

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