BTB1386M3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTB1386M3
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内容描述：	低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 172 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT PNP外延平面晶体管

规格。编号： C815M3

发行日期： 2005年3月25日

修订日期：二〇〇五年十月二十〇日

页页次： 1/5

BTB1386M3

特点

•

低V

CE （ SAT ）

, V

CE （ SAT ）

= -0.25 V（典型值），在我

/ I

= -3A / -60mA

•

优良的直流电流增益特性

•

补充BTD2098M3

•

无铅封装

符号

BTB1386M3

概要

SOT-89

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B权证

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

结温

储存温度

注意事项：1

单脉冲Pw = 10ms的

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

范围

-30

-20

-6

-5

-10

（注1 ）

0.5

（注2 ）

150

-55~+150

单位

°C

2.当安装在一个40

×40 ×0.7

毫米的陶瓷板。

BTB1386M3

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