BTB1386N3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTB1386N3
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内容描述：	低VCE （ SAT） PNP外延平面晶体管 [Low VCE(sat) PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 166 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低V

CE （ SAT ）

PNP外延平面晶体管

规格。编号： C816N3 -R

发行日期：二○○三年十二月十八日

修订日期：

页页次： 1/4

BTB1386N3

特点

•

优良的直流电流增益特性

•

低饱和电压，V

CE （ SAT ）

=-0.25V(typ)

应用

•

低频放大器

•

司机

符号

BTB1386N3

SOT-23

B：基本

C：收藏家

E：发射器

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（DC）的

集电极电流（脉冲）（

注1 ）

功耗

热阻，结到环境

结温

储存温度

注1 ：单脉冲， Pw≤10ms ，职务Cycle≤30 ％。

符号

CBO

首席执行官

EBO

θJA

TSTG

范围

-15

-12

-6

-4

-8

225

556

150

-55~+150

单位

° C / W

°C

BTB1386N3

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