BTB1426A3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTB1426A3
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内容描述：	低VCE （ SAT） PNP外延平面晶体管 [Low VCE(SAT) PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 154 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低V

CE （ SAT ）

PNP外延平面晶体管

规格。编号： C816A3 -H

发行日期： 2003年7月2日

修订日期：

页页次： 1/4

BTB1426A3

描述

该BTB1426A3是专为在频闪和中等功率放大器应用而设计的。

•

高直流电流增益和优良的ħ

线性度。

•

低饱和电压

CE （ SAT ）

=-0.5V(max)(I

= -2A ，我

=-100mA).

特点

符号

BTB1426A3

概要

TO-92

B：基本

C：收藏家

E：发射器

欧洲央行

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（DC）的

集电极电流（脉冲）（

注1 ）

功耗

热阻，结到环境

结温

储存温度

注：单脉冲， Pw≤10ms ，职务Cycle≤2 ％。

符号

CBO

首席执行官

EBO

θJA

TSTG

范围

-20

-6

-3

-5

（注）

750

167

150

-55~+150

单位

° C / W

°C

BTB1426A3

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