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BTB1412J3_09 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BTB1412J3_09
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内容描述: 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 245 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
低VCESAT PNP外延平面晶体管
规格。编号: C816J3
发行日期: 2003年5月15日
修订日期: 2009.02.04
页页次: 1/7
BTB1412J3
特点
低V
CE
(SAT) ,V
CE
(SAT) = - 0.5 V (最大值) ,在我
C
/ I
B
= -4A / -0.1A
优良的直流电流增益特性
补充BTD2118J3
无铅封装
BV
首席执行官
I
C
R
CESAT
-30V
-5A
75mΩ (典型值) 。
符号
BTB1412J3
概要
TO-252
B:基本
C:收藏家
E:发射器
B
C
E
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
注: * 1
.
单脉冲Pw = 10ms的
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
(DC)的
I
C
(脉冲)
PD (T
A
=25℃)
PD (T
C
=25℃)
Tj
TSTG
范围
-40
-30
-6
-5
-10
1
10
150
-55~+150
单位
V
V
V
*1
A
W
°C
°C
BTB1412J3
CYStek产品规格