BTB772AM3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTB772AM3
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内容描述：	低VCE （ SAT） PNP外延平面晶体管 [Low VCE(sat) PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 189 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低V

CE （ SAT ）

PNP外延平面晶体管

规格。编号： C817M3 -H

发行日期： 2003年6月17日

修订日期： 2005年8月19日

页： 1/5

BTB772AM3

特点

•

低V

（SAT），通常0.3 V ，在我

/ I

= -2A / -0.2A

•

出色的电流增益特性

•

补充BTD882AM3

符号

BTB772AM3

概要

SOT-89

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B权证

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

功耗

热阻，结到

环境

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

极限

-50

-6

-3

-7

（注1 ）

600

（注2 ）

（注3）

208

125 （注2）

62.5 （注3）

150

-55~+150

单位

° C / W

°C

θJA

英镑

注： 1。单脉冲PW ≦ 350μS ，占空比≦ 2 ％。

2.当安装在FR-4印刷电路板与测量面积10×10 ×1毫米。

3.当安装在陶瓷板面积测量40 ×40× 1毫米。

BTB772AM3

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