BTC5201I3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTC5201I3
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内容描述：	低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 151 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT NPN外延平面晶体管

规格。编号： C653I3

发行日期： 2003年11月25日

修订日期：

页页次： 1/4

BTC5201I3

•

低V

（SAT）

•

高BV

首席执行官

•

出色的电流增益特性

特点

符号

BTC5201I3

概要

TO-251

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B权证

B C

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

基极电流

功率耗散@ T

=25℃

功率耗散@ T

=25℃

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

结温

储存温度

注： 1。单脉冲私服≦ 380μs ，占空比≦ 2 ％。

BTC5201I3

CYStek产品规格

符号

CBO

首席执行官

EBO

θJA

θJC

TSTG

范围

（注1 ）

1.5

83.3

6.25

150

-55~+150

单位

° C / W

°C

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