BTD1664M3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTD1664M3
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 150 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT NPN外延平面晶体管

规格。编号： C223M3

发行日期： 2003年5月26日

修订日期：

页页次： 1/4

BTD1664M3

特点

•

该BTD1664M3是专为通用低频功率放大器的应用。

•

低V

（SAT），V

（SAT） = 0.15V （典型值），在我

/ I

= 400毫安/ 20毫安

•

补充BTB1132M3

符号

BTD1664M3

概要

SOT-89

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B权证

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

范围

800

1.5

（注1 ）

0.5

（注2 ）

150

-55~+150

单位

°C

注： 1，单脉冲， PW = 20毫秒，占空比

≤

2%.

2.当安装在一个40

×40 ×0.7

毫米的陶瓷板。

BTD1664M3

CYStek产品规格

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案