BTD1768N3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTD1768N3
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内容描述：	通用NPN外延平面晶体管 [General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 179 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

通用NPN外延平面晶体管

规格。编号： C304N3

发行日期： 2005年1月10日

修订日期：

页页次： 1/4

BTD1768N3

描述

该BTD1768N3被设计用于AF放大器和通用的驱动器级和输出级

应用程序。

特点

•

低集电极饱和电压

•

高的击穿电压，V

首席执行官

= 80V （分钟）

•

高集电极电流，I

C（最大值）

= 1A （ DC ）

符号

BTD1768N3

概要

SOT-23

B：基本

C：收藏家

E：发射器

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

功耗

热阻，结到环境

结温

储存温度

注：脉冲测试，P

≤

为10ms ，占空比

≤

50%.

符号

CBO

首席执行官

EBO

θJA

TSTG

范围

100

（注）

225

556

150

-55~+150

单位

° C / W

°C

BTD1768N3

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