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    BTD1805J3 参数 Datasheet PDF下载

    BTD1805J3图片预览
    型号： BTD1805J3
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    内容描述： 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 164 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BTD1805J3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BTD1805J3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BTD1805J3的Datasheet PDF文件第4页  
    CYStech电子股份有限公司
    低VCESAT NPN外延平面晶体管
    规格。编号： C820J3
    发行日期： 2004年12月19日
    修订日期： 2005年7月26日
    页页次：四分之一
    BTD1805J3
    描述
    该器件采用NPN平面技术通过使用“基地岛”的布局制造。由此产生的
    晶体管显示再加上极低的饱和电压异常高增益性能。
    特点
    •
    非常低的集电极 - 发射极饱和电压
    •
    开关速度快
    •
    高电流增益特性
    •
    大电流能力
    应用
    •
    CCFL驱动程序
    •
    稳压器
    •
    继电器驱动器
    •
    高效率的低电压开关应用
    符号
    BTD1805J3
    概要
    TO-252
    B：基本
    C：收藏家
    E：发射器
    B权证
    BTD1805J3
    CYStek产品规格

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