BTD2098LM3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTD2098LM3
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 186 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT NPN外延平面晶体管

规格。编号： C850M3

发行日期： 2004年2月27日

修订日期： 2005年10月4日

页页次： 1/5

BTD2098LM3

特点

•

低V

（SAT），V

（SAT） = 0.25 V（典型值），在我

/ I

= 3A / 0.1A

•

优良的直流电流增益特性

•

补充BTB1386LM3

•

无铅封装

符号

BTD2098LM3

概要

SOT-89

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B权证

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

功耗

符号

CBO

首席执行官

EBO

范围

（注1 ）

0.6

（注2 ）

（注3）

208

125

（注2 ）

62.5

（注3）

150

-55~+150

单位

° C / W

°C

热阻，结到环境

结温

储存温度

θJA

TSTG

注： 1。单脉冲PW ≦ 350μS ，占空比≦ 2 ％。

2，当安装在FR-4印刷电路板用面积测量10×10 ×1毫米。

当安装在陶瓷测量面积40 ×40× 1毫米

BTD2098LM3

CYStek产品规格

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案